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SKI2263-D8 电流模式PWM控制器：低功率电源的高效率控制解决方案

news 2026/6/10 18:44:17

产品概述

SKI2263-D8 是 SHIKUES（時科）推出的一款电流模式 PWM 控制器，专为低功率 AC/DC 充电器、电源适配器及辅助电源系统设计。该产品集成低启动电流、Burst Mode 节能模式、频率抖动、软启动以及完善的保护功能，为电源系统提供高效、稳定、可靠的控制解决方案。

核心参数

参数项	典型值
启动电流	3 μA（典型值）
工作电流	1.4 mA（典型值）
典型工作频率	65 kHz
工作频率调节范围	50 kHz～130 kHz（外接 RI 电阻）
最大占空比	80%
GATE 驱动电压	10 V
栅极钳位电压	18 V
UVLO 启动电压	15.2 V（典型值）
UVLO 关闭电压	9.6 V（典型值）
VDD 钳位电压	33 V
OCP 过流检测阈值	0.75 V（典型值）
OLP 过载保护延迟	约 60 ms
Burst Mode 工作频率	约 22 kHz
频率抖动范围	±3%

主要特性

超低启动电流

启动电流仅 3 μA（典型值），工作电流 1.4 mA（典型值）。超低启动电流使工程师可以采用更大阻值的启动电阻，进一步降低待机损耗。

Burst Mode 节能模式

当系统进入轻载或待机状态时，SKI2263 自动切换至 Burst Mode 模式，工作频率降至约 22 kHz，通过脉冲间歇方式降低 MOSFET 开关损耗、变压器损耗及整机待机功耗，帮助产品满足各类能效法规要求。

可编程工作频率

通过外接 RI 电阻，工作频率可在 50 kHz～130 kHz 范围内灵活调节，典型工作频率为 65 kHz，方便针对不同功率等级与 EMI 需求进行优化设计。

内置频率抖动

芯片内部集成 ±3% 频率抖动功能，有效分散开关频谱能量，降低 EMI 峰值，帮助系统更容易通过 EMC 测试认证。

软启动保护

内置软启动功能，系统启动过程中 PWM 占空比逐步增加，降低启动浪涌电流，减少 MOSFET 与变压器所受冲击，提升系统寿命与可靠性。

内置 LEB 前沿消隐

集成 Leading Edge Blanking 技术，自动滤除 MOSFET 导通瞬间产生的尖峰干扰，避免误触发过流保护，提高系统稳定性，同时减少外围器件数量，降低 BOM 成本。

保护功能

OCP 过流保护：实时监控 CS 采样信号，异常过流时快速响应，过流检测阈值约 0.75 V（典型值）。

OLP 过载保护：持续过载约 60 ms 后进入保护状态。

UVLO 欠压锁定：启动电压 15.2 V（典型值），关闭电压 9.6 V（典型值），保证系统始终工作在安全区域。

VDD 过压保护：VDD 钳位电压 33 V，有效防止辅助绕组异常导致芯片损坏。

典型应用架构

SKI2263 适用于反激式电源方案，典型架构为：

SKI2263 + MOSFET + 反激变压器 + TL431 + 光耦反馈

交流输入经 EMI 滤波网络处理后，通过整流桥转换为高压直流母线。SKI2263 作为控制核心，负责 PWM 脉冲生成、MOS 驱动控制、峰值电流控制、输出反馈调节及系统保护管理。MOSFET 源极串联采样电阻，将电流信号送入 CS 引脚，实现逐周期限流与 OCP 保护。输出侧采用 TL431 与光耦构成隔离反馈回路，实现高精度稳压控制。