摘要NOR闪存作为非易失性代码型存储器的中坚力量，凭借其片上执行（XIP）能力、快速读取速度和可靠的数据保持特性，在汽车电子、物联网、通信设备及工业控制领域占据不可替代的地位。当前主流技术路线分为浮栅（FG）NOR和电荷俘获（SONOS）NOR两大架构，成熟量产节点集中于45–55nm，而28nm已成为传统浮栅工艺的物理极限。本文将从器件物理、制备工艺流程、核心技术瓶颈、国际竞争格局及车规级可靠性要求等维度，系统阐述NOR闪存的技术全景与发展趋势。1. 器件架构与物理原理1.1 浮栅NOR（ETOX）单元结构浮栅型NOR闪存的核心存储单元为叠栅MOSFET结构。自衬底向上依次为：隧穿氧化层（Tunnel Oxide）：高质量热生长SiO₂，厚度8–10nm，承担Fowler-Nordheim隧穿注入和擦除的量子输运通道；浮栅（Floating Gate）：重掺杂多晶硅层，电学浮空，用于存储电荷；栅间介质层（IPD）：ONO叠层（氧化硅-氮化硅-氧化硅），实现浮栅与控制栅之间的高压隔离与电容耦合；控制栅（Control Gate）：多晶硅或金属硅化物层，用于施加读写电压。写入操作通过沟道热电子注入（CHE）将电子加速注入浮栅，擦除操作利用FN隧穿将电子从浮栅抽回衬底或源极。浮栅中电荷的存在与否直接改变器件阈值电压（Vth），从