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很多场景下，我们会让共栅管的VOD取小点以获得更多的电压裕度，因此共栅管W/L会取共源管的几倍，下面就是是这样一个简单的低压cascode电流镜偏置的实例，常用的就是电阻自偏置/多花一路功耗用串联MOS管作偏置。
这里，共源管取了W=2u，L=3u，原因是电流只有1uA且希望共源管的VOD在typ下为100~200mV之间，共栅管取其4倍，用multi和finger分：

（1）用串联MOS管作偏置，根据之前在（二）中的分析，可以计算所需要的M5管尺寸。计算结果是串3个共源管即可，但在仿真中用了4个，实际上3个仿真确实也能过。为了验证这种方案的鲁棒性（前文分析貌似是有些鲁棒性的），在tt下-40C、27C、125C下做仿真，主要观察 1、各管工作区域是否正常 2、VOD1与VOD3的关系是否为2倍 3、共源管是否留有裕度。
首选是-40C下：

VOD之比为1.8倍，共源管vds比其VOD多出65%的裕度；
然后是27C下：

VOD之比为1.8倍，共源管vds比其VOD多出61%的裕度；
最后是125C下：

VOD之比为1.8倍，共源管vds比其VOD多出59%的裕度；
起码tt全温范围内是符合预期的，这种方案我流片中用过了，测试没毛病，可以用，就看愿不愿意花4路功耗了。不过就像之前说的，这里功耗完全可以成比例降低再降低，这个例子是4×1uA=4uA的设计。

（2）电阻作自偏置，简单算一下，让IR>=共栅管的VOD即可，省下功耗了，就是可能得各个corner下都打出来裕度看看，毕竟I和R都在变化。