1841

物理化学

射频/封装

界面科学/数学化学​

问题：FEM-DEM-BEM-IEM分析太赫兹（140GHz）芯片封装中银烧结（Silver Sintering）接头在湿热环境（85°C/85%RH）下的电化学迁移（Ag⁺离子迁移）与电阻退化时序。

逐步推理：
1.FEM银烧结接头：Ag 颗粒（粒径 1μm）烧结多孔结构，孔隙率 20%，偏压 5V，湿度 85%RH，用FEM离散。
2.DEM电化学迁移：阳极 Ag → Ag⁺ + e⁻，阴极 Ag⁺ + e⁻ → Ag 枝晶生长。枝晶生长速率 dl/dt=MAg​iion​/(nFρAg​)，iion​=i0​exp(−ΔG/kT)sinh(qVη/kT)。短路时间 tshort​=d/